1. Tujuan [kembali]
Untuk mengetahui tentang desain FET
Untuk mengetahui cara membuat rangkaian desain FET
2. Alat dan Bahan [kembali]
2.1 FET
Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa. Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada Outputnya yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source (IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.
2.2 Ground
Ground adalah titik yang dianggap sebagai titik kembalinya arus listrik arus searah atau titik kembalinya sinyal bolak balik atau titik patokan (referensi) dari berbagai titik tegangan dan sinyal listrik di dalam rangkaian elektronika.
2.3 Resistor
Spesifikasi :
- Carbon Film Resistor
- 4-band Resistor
- Resistor value varies based on selected parameter
- Power rating varies based on selected parameter
3. Dasar Teori
[kembali]
Proses desain adalah salah satu yang tidak terbatas hanya pada kondisi dc. Area aplikasi, tingkat penguatan yang diinginkan, kekuatan sinyal, dan kondisi pengoperasian hanya beberapa kondisi yang masuk ke dalam proses desain total. Namun, kami akan melakukannya pertama berkonsentrasi pada pembentukan kondisi dc yang dipilih.
 |
| Gambar 6.49. Konfigurasi bias diri yang akan dirancang. |
Secara khusus, jika tingkat resistif diminta, hasilnya sering diperoleh hanya
dengan menerapkan hukum Ohm dalam bentuk berikut:
 |
| 6.34 |
di mana VR dan IR seringkali merupakan parameter yang dapat ditemukan langsung dari tegangan yang ditentukan dan arus saat ini.
1.Untuk jaringan Gbr. 6.50, tingkat VDQ dan IDQ ditentukan. Tentukan nilai RD dan RS yang diperlukan. Apa nilai komersial standar terdekat?
Jawaban :
Merencanakan kurva transfer di Gbr. 6.51 dan menggambar garis horizontal di IDQ= 2.5 mA akan menghasilkan VGSQ= 1 V, dan menerapkan VGS =- IDRS akan menetapkan tingkat RS
Nilai komersial standar terdekat adalah
Untuk konfigurasi bias voltase-pembagi Dari Gbr. 6.52, jika VD 12 V dan VGSQ = 2 V, tentukan nilai RS.Tingkat VG dan IDditentukan sebagai berikut:
Persamaan untuk VGS kemudian ditulis dan nilai yang diketahui diganti:
Problem :
1. Rancang jaringan self-bias menggunakan transistor JFET dengan IDSS = 8 mA dan VP= - 6 V agar memiliki Q-point di IDQ = 4 mA menggunakan supply 14 V. Asumsikan RD 3RS dan gunakan nilai standar.
2. Desain jaringan bias pembagi tegangan menggunakan MOSFET tipe deplesi dengan IDSS = 10 mA dan VP = -4 V memiliki Q-point pada IDQ = 2,5 mA menggunakan suplai 24 V.Selain itu, atur VG= 4V dan gunakan RD = 2.5RS dengan R1 = 22 ΩM. Gunakan nilai standar.
Solusi :
1. Ingat persamaan shockley
Karena itu,
Dapat diingatkan bahwa,
2. Ingat lagi persamaan shockley
Karena itu,
Dapat diingatkan bahwa,
Soal pilihan ganda
1. Jika VDD diketahui, maka tingkat RD bisa dihitung dari
a. RD = (VD - VDD) / ID
b. RD = (VDD - VD) / ID
c.RD = (VDD - ID) / VD
d. RD = (ID - VD) / VDD
e. RD = (VDD - VD) / IDD
Jawaban B
2. jika level VD dan ID ditentukan untuk jaringan pada Gambar 6.49, tingkat VGSQ dapat ditentukan dari plot kurva transfer dan RS kemudian dapat ditentukan dari
a. VGS = - IDRS
b. VDRS = - IGS
c. -VGS = IDRS
d. -VDRS = IGS
e. I GS = - VDRS
Jawaban A
4. Percobaan
[kembali]
file datasheet resistor klik disini
Tidak ada komentar:
Posting Komentar